2016北理工电子科学与技术基础考研真题
新东方网整理 | 2015-12-30 15:15
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2016考研初试12月26日至28日进行,新东方网考研频道时刻关注2016考研初试情况,并第一时间为考生提供考研真题答案及答案解析内容,同时新东方考研教师将为考生提供视频解析。敬请关注新东方网考研频道为您带来的精彩内容。教师解析专区|考研真题答案专区|考研历年真题
2016考研基本落下帷幕,考后对答案估分是考生目前的要紧事,尤其今年考研人数报考增多,专硕竞争压力又加大了,大家要早做准备。新东方网考研频道考后跟踪发布考研相关真题及解析,帮助大家把握考情动态,更准确的估分。下面是2016北理工电子科学与技术基础考研真题。
半导体:
简答题和名词解释:单电子近似,本征激发,肖特基接触,功函数,外层电子与内层电子共有化运动的不同点,隧道效应
大题:MIS的电容电压特性,电子的几率,求电导率 电子和空穴浓度,
设计题:证明非平衡少子的存在。
模电:
简答题:二极管的种类,比较器的分类以及特点,作用!三极管放大电路的组态
大题:放大电路的题目,求静态电流,输入电阻和输出电阻,画出交流等效电路。
比较器的题目,画出传输特性曲线,求上下限门电压。
(实习编辑:刘佰万)
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